चीनी मुख्य भूमि पर सेमीकंडक्टर फोटोवोल्टिक में सफलता

चीनी मुख्य भूमि पर सेमीकंडक्टर फोटोवोल्टिक में सफलता

चाइनीज एकेडमी ऑफ साइंसेज, चांगचुन इंस्टीट्यूट ऑफ एप्लाइड केमिस्ट्री के शोधकर्ताओं ने सेमीकंडक्टर फोटोवोल्टिक्स में एक महत्वपूर्ण सफलता प्राप्त की है। उनके नवीन कार्य ने एक नवाचारी रेडिकल आत्म-संयोजित आणविक सामग्री के विकास का नेतृत्व किया, जिसने पेरोव्स्काइट सौर कोशिकाओं में निरंतर चुनौतियों को पार किया है, जिसमें अपर्याप्त प्रदर्शन और बड़ी क्षेत्र छिद्र-परिवहन परतों को समान रूप से तैयार करने की कठिनाई शामिल है।

इस अग्रणी प्रौद्योगिकी को अमेरिकी राष्ट्रीय नवीकरणीय ऊर्जा प्रयोगशाला द्वारा दक्षता-प्रमाणित किया गया है, जो चीनी मुख्य भूमि पर नवीकरणीय ऊर्जा प्रथाओं को बदलने की इसकी संभाव्यता को मजबूत करता है। जून 27, 2025 को जर्नल साइंस में प्रकाशित यह सफलता एक मील का पत्थर उन्नति को चिह्नित करती है जो एशिया भर में आगे के शैक्षणिक शोध और प्रौद्योगिकी निवेश को आगे बढ़ा सकती है।

उपलब्धि वैश्विक समाचार उत्साही, व्यापार पेशेवरों, शोधकर्ताओं, प्रवासी समुदायों, और सांस्कृतिक खोजकर्ताओं के साथ गहराई से संप्रेषण करती है। यह ऊर्जा दक्षता को बढ़ाने की एक आशाजनक मार्ग को रोशन करती है और इस क्षेत्र में नवाचारी प्रौद्योगिकी के विकसित होते प्रभाव को प्रदर्शित करती है।

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